同一磁體用不同的高斯計/特斯拉計測量，測出數(shù)據(jù)不同的原因是：

1、不同探頭內(nèi)霍爾元件封裝的位置不同，或元件不在探頭兩側的中部。這些探頭在均勻磁場中，不會因位置上的改變而感受到磁場的改變，測量數(shù)據(jù)也不會因位置的不同而帶來誤差。當用不同的探頭去測磁體表面發(fā)散的、不均勻的磁場時，雖然表面看上去是放到了同一位置，而內(nèi)部霍爾元件感受到的并不是同一位置的磁場。感受到的場值不同，測量結果當然不一樣。一般，對于徑向探頭，厚度越小，內(nèi)部霍爾元件離表面越近，測量表面磁場顯示讀數(shù)越大，采用超薄探頭去測表面磁場時的讀數(shù)可以高于常規(guī)探頭20%以上(被測磁體尺寸越小，磁體表面曲率越大，表面磁場分布越不均勻，測量數(shù)據(jù)差別越大)，但是無論多薄的探頭，其內(nèi)部對磁場敏感的部分與磁體表面總有一個間距，不可能為★距離。所以說，不可能測到真正的表面磁場。只能說，使用的探頭越薄，讀數(shù)越能反映出磁體的表面磁場。
2、

原因之二是：不同型號的霍爾探頭內(nèi)，所封裝的霍爾元件敏感區(qū)尺寸不同。早期的體形霍爾元件，如鍺、硅霍爾元件，尺寸一般為4×2㎜2也有6×3㎜2、8×4㎜2、*小為1.5×1.5㎜2，有效的敏感區(qū)基本上是元件本身的尺寸，面積大。若用這種霍爾元件來對磁力線發(fā)散的小磁體、磁體邊角部分或多極充磁的表磁進行測量。僅能反映出通過該元件表面的磁感應強度的平均值。此值必定小于該區(qū)域的*大值。如果改用敏感區(qū)的小霍爾元件，如砷化鎵霍爾元件，其敏感區(qū)的有效面積約為0.1×0.1～0.2×0.2㎜2遠遠小于體形元件的面積。這種元件就更能反映出表面磁場的場分布，所測到的*大值也更接近該區(qū)域的*大磁感應強度實際值。